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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT,L3F
- MFG-Teilenummer
- SSM3J35CT,L3F
- verfügbare Anzahl
- 71160 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.034
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- π-MOSVI MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SSM3J35CT,L3F.pdf
SSM3J35CT,L3F Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SSM3J35CT,L3F |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SSM3J35CT,L3F |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | π-MOSVI |
| SSM3J35CT,L3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2pF @ 3V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | CST3 |
| Paket / fall | SC-101, SOT-883 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM3J35CT,L3F Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SSM3J35CT,L3F-FT |
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