Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STB18NM60N
Herstellerteilenummer | STB18NM60N |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-STB18NM60N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MDmesh™ II |
STB18NM60N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 285 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB18NM60N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STB18NM60N-FT |
STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics
STH310N10F7-2
STMicroelectronics
STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
STH80N10F7-2
STMicroelectronics
STH12N120K5-2
STMicroelectronics
STH6N95K5-2
STMicroelectronics
STH130N10F3-2
STMicroelectronics
STH185N10F3-2
STMicroelectronics
STH240N75F3-2
STMicroelectronics
STH160N4LF6-2
STMicroelectronics
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel