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Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50DA(STA4,Q,M

Name: TK13A50DA(STA4,Q,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK13A50DA(STA4,Q,M
Price: 1.748 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (317 reviews)

MFG-Teilenummer: TK13A50DA(STA4,Q,M

verfügbare Anzahl: 24150 Stücke

Referenzpreis: USD 1.748

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: π-MOSVII MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK13A50DA(STA4,Q,M.pdf

TK13A50DA(STA4,Q,M Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK13A50DA(STA4,Q,M
Zukünftige Teilenummer	FT-TK13A50DA(STA4,Q,M
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	π-MOSVII
TK13A50DA(STA4,Q,M Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	470 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220SIS
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK13A50DA(STA4,Q,M Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK13A50DA(STA4,Q,M-FT

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