Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR9212J0L
Herstellerteilenummer | UNR9212J0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR9212J0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR9212J0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Supplier Device Package | SSMini3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR9212J0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR9212J0L-FT |
DRA3114Y0L
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DRA3115E0L
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A40MX02-VQG80A
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LCMXO2-640ZE-3TG100I
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A3P1000-FGG484I
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LFE5UM-85F-6BG381C
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10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
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5SGXEB6R3F43I3L
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10AX115U1F45E1SG
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EPF8282ALC84-3
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