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VP0109N3-G Image

Microchip Technology VP0109N3-G

MFG-Teilenummer
VP0109N3-G
verfügbare Anzahl
55510 Stücke
Referenzpreis
USD 0.672
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microchip Technology
Kurze Beschreibung
- MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
VP0109N3-G.pdf
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VP0109N3-G Spezifikationen

Herstellerteilenummer VP0109N3-G
Zukünftige Teilenummer FT-VP0109N3-G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
VP0109N3-G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 90V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 250mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-92-3
Paket / fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VP0109N3-G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer VP0109N3-G-FT

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