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Diodes Incorporated ZXMN3A02N8TA

Name: ZXMN3A02N8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3A02N8TA
Availability: InStock
Rating: 4.5 (608 reviews)

MFG-Teilenummer: ZXMN3A02N8TA

verfügbare Anzahl: 90300 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: ZXMN3A02N8TA.pdf

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ZXMN3A02N8TA Spezifikationen

Herstellerteilenummer	ZXMN3A02N8TA
Zukünftige Teilenummer	FT-ZXMN3A02N8TA
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
ZXMN3A02N8TA Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	26.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.56W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SO
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN3A02N8TA Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	ZXMN3A02N8TA-FT

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