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ZXMN6A08GQTA Image

Diodes Incorporated ZXMN6A08GQTA

MFG-Teilenummer
ZXMN6A08GQTA
verfügbare Anzahl
29510 Stücke
Referenzpreis
USD 0.382592
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60VSOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
ZXMN6A08GQTA.pdf
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ZXMN6A08GQTA Spezifikationen

Herstellerteilenummer ZXMN6A08GQTA
Zukünftige Teilenummer FT-ZXMN6A08GQTA
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101
ZXMN6A08GQTA Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 459pF @ 40V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-223
Paket / fall TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A08GQTA Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer ZXMN6A08GQTA-FT

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