Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC501900L
Herstellerteilenummer | 2SC501900L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC501900L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC501900L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 6GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.7dB @ 800MHz |
Gewinnen | 7.5dB ~ 10dB |
Leistung max | 1W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 20mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | MiniP3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC501900L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC501900L-FT |
MRF4427GR1
Microsemi Corporation
MRF4427GR2
Microsemi Corporation
MRF4427R1
Microsemi Corporation
MRF4427R2
Microsemi Corporation
MRF5812
Microsemi Corporation
MRF5812G
Microsemi Corporation
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
EP4SE820H35I4
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LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
10AX090H3F34I2SG
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel