Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5415AF-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SC5415AF-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5415AF-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5415AF-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 6.7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 9dB |
Leistung max | 800mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5415AF-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5415AF-TD-E-FT |
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
M7AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C7N
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
XC2VP30-6FF896I
Xilinx Inc.
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290FF35C3N
Intel