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EPC EPC2100ENGRT

MFG-Teilenummer
EPC2100ENGRT
verfügbare Anzahl
57310 Stücke
Referenzpreis
USD 3.7696
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
eGaN® GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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EPC2100ENGRT Spezifikationen

Herstellerteilenummer EPC2100ENGRT
Zukünftige Teilenummer FT-EPC2100ENGRT
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie eGaN®
EPC2100ENGRT Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall Die
Supplier Device Package Die
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2100ENGRT Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer EPC2100ENGRT-FT

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