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Herstellerteilenummer | EPC2100ENGRT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EPC2100ENGRT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | eGaN® |
EPC2100ENGRT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Die |
Supplier Device Package | Die |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2100ENGRT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EPC2100ENGRT-FT |
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC072N03LDGATMA1
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BSC750N10NDGATMA1
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BTS7904BATMA1
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DF23MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BPSA1
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DF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel