Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-2805-TR2G
Herstellerteilenummer | HSMS-2805-TR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-2805-TR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-2805-TR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 2 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 70V |
Strom - max | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2805-TR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-2805-TR2G-FT |
BAT6207L4E6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR6402ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
BA 892-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR 65-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XCKU035-L1FBVA900I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP1S20F484C7
Intel
LFXP3C-3Q208C
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LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
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10AX090N3F40E2SG
Intel
5AGXBB1D4F31C4N
Intel