Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-2815-TR2G
Herstellerteilenummer | HSMS-2815-TR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-2815-TR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-2815-TR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 2 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 20V |
Strom - max | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2815-TR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-2815-TR2G-FT |
BAR 65-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152I3N
Intel
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7N
Intel
10AX090N3F45I2LG
Intel
EP2AGX45DF29I5N
Intel
EP2C5Q208C7
Intel