Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-2817-TR1G
Herstellerteilenummer | HSMS-2817-TR1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-2817-TR1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-2817-TR1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 1 Bridge |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 20V |
Strom - max | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2817-TR1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-2817-TR1G-FT |
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
5SGXEB6R1F40I2N
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
10AX032H2F35E2SG
Intel
XA7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C6G
Intel