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Herstellerteilenummer | IPSA70R360P7SAKMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPSA70R360P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R360P7SAKMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 700V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 400V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 59.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R360P7SAKMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPSA70R360P7SAKMA1-FT |
IPB016N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB019N08N3GATMA1
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IPB023N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB034N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB036N12N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N10N3GATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel