Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF3706S
Herstellerteilenummer | IRF3706S |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF3706S |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF3706S Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 77A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 88W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3706S Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF3706S-FT |
IRF1010ESTRR
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IRF1010EZS
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