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Infineon Technologies IRFSL3006PBF

Name: IRFSL3006PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL3006PBF
Price: 5.568 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (655 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFSL3006PBF

verfügbare Anzahl: 48410 Stücke

Referenzpreis: USD 5.568

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 195A TO262

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFSL3006PBF.pdf

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IRFSL3006PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFSL3006PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFSL3006PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFSL3006PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8970pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL3006PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFSL3006PBF-FT

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