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IXYS IXFT12N100Q

Name: IXFT12N100Q
Brand: IXYS
SKU: IXFT12N100Q
Availability: InStock
Rating: 4.8 (138 reviews)

MFG-Teilenummer: IXFT12N100Q

verfügbare Anzahl: 34010 Stücke

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Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: HiPerFET™ MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXFT12N100Q.pdf

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IXFT12N100Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXFT12N100Q
Zukünftige Teilenummer	FT-IXFT12N100Q
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HiPerFET™
IXFT12N100Q Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-268
Paket / fall	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT12N100Q Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXFT12N100Q-FT

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