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Herstellerteilenummer | MT46V128M4P-5B:F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT46V128M4P-5B:F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT46V128M4P-5B:F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR |
Speichergröße | 512Mb (128M x 4) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 700ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.5V ~ 2.7V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Supplier Device Package | 66-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4P-5B:F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT46V128M4P-5B:F-FT |
NAND02GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3D2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6F TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
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Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
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Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
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Intel