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Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135
- MFG-Teilenummer
- PHT6NQ10T,135
- verfügbare Anzahl
- 72380 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.26568
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Nexperia USA Inc.
- Kurze Beschreibung
- TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- PHT6NQ10T,135.pdf
PHT6NQ10T,135 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | PHT6NQ10T,135 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-PHT6NQ10T,135 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchMOS™ |
| PHT6NQ10T,135 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PHT6NQ10T,135 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | PHT6NQ10T,135-FT |
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