Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PQMH2Z
Herstellerteilenummer | PQMH2Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PQMH2Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMH2Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 230MHz |
Leistung max | 230mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMH2Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PQMH2Z-FT |
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor
NSM46211DW6T1G
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NSTB60BDW1T1
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NSB1706DMW5T1G
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UMC3NT1G
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NSVUMC3NT1G
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NSB1706DMW5T1
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XC6SLX150T-3FGG900C
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XCS30-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100C8
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5SGSMD5K3F40C2N
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EP2AGX95DF25C6N
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XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C7N
Intel