Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PQMH2Z
Herstellerteilenummer | PQMH2Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PQMH2Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMH2Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 230MHz |
Leistung max | 230mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMH2Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PQMH2Z-FT |
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor
UMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor
EX256-TQ100
Microsemi Corporation
XC2VP20-5FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4SGX290KF40C4N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400ERC240-3
Intel