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Vishay Siliconix SI8900EDB-T2-E1

Name: SI8900EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8900EDB-T2-E1
Price: 1.37544 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (687 reviews)

MFG-Teilenummer: SI8900EDB-T2-E1

verfügbare Anzahl: 35330 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI8900EDB-T2-E1.pdf

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SI8900EDB-T2-E1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI8900EDB-T2-E1
Zukünftige Teilenummer	FT-SI8900EDB-T2-E1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI8900EDB-T2-E1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1.1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	1W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	10-UFBGA, CSPBGA
Supplier Device Package	10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8900EDB-T2-E1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI8900EDB-T2-E1-FT

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