Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / SI8901EDB-T2-E1
Herstellerteilenummer | SI8901EDB-T2-E1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI8901EDB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI8901EDB-T2-E1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) Common Drain |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 350µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-MICRO FOOT®CSP |
Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8901EDB-T2-E1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI8901EDB-T2-E1-FT |
SI5935CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5935DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5975DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5975DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3900DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SQ3987EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3552DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3590DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3590DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFE2-20E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-2
Intel
EP1S10B672C6
Intel
EP3SE50F484C2N
Intel
5SGXMA7H2F35I3LN
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel
EP3SL150F780I3
Intel