Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / SI8902EDB-T2-E1
Herstellerteilenummer | SI8902EDB-T2-E1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI8902EDB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI8902EDB-T2-E1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 980µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-MICRO FOOT®CSP |
Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8902EDB-T2-E1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI8902EDB-T2-E1-FT |
SI5933DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5935CDC-T1-E3
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