Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S14AHE3_A/I
Herstellerteilenummer | SM8S14AHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S14AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S14AHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 14V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 15.6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 23.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 284A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S14AHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S14AHE3_A/I-FT |
SM6A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S12A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel