Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUD50N03-11-E3
Herstellerteilenummer | SUD50N03-11-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SUD50N03-11-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUD50N03-11-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 7.5W (Ta), 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N03-11-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUD50N03-11-E3-FT |
SI8424CDB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8425DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8467DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8800EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8429DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8409DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8413DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8401DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8401DB-T1-E3
Vishay Siliconix
SI8402DB-T1-E1
Vishay Siliconix
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel