Herstellerteilenummer | 2N5770 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N5770 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N5770 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 900MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
Gewinnen | - |
Leistung max | 625mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 8mA, 1V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5770 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N5770-FT |
BFG135AE6327XT
Infineon Technologies
BFR 181T E6327
Infineon Technologies
BFR 182T E6327
Infineon Technologies
BFR 183T E6327
Infineon Technologies
BFR 340T E6327
Infineon Technologies
BFR 360T E6327
Infineon Technologies
BFR 380T E6327
Infineon Technologies
BFR 949T E6327
Infineon Technologies
MMBTH10-7
Diodes Incorporated
MMBTH24-7
Diodes Incorporated
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25CF672C6N
Intel
5SGXEA5K2F40I3N
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144I
Microsemi Corporation
EP1S40B956C5
Intel