Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5415AE-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SC5415AE-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5415AE-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5415AE-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 6.7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 9dB |
Leistung max | 800mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5415AE-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5415AE-TD-E-FT |
MRF5812G
Microsemi Corporation
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
XC3S500E-4VQG100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-4FGG484C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C8N
Intel
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT324I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel