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Texas Instruments CSD85312Q3E

MFG-Teilenummer
CSD85312Q3E
verfügbare Anzahl
10120 Stücke
Referenzpreis
USD 0.30576
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Texas Instruments
Kurze Beschreibung
NexFET™ MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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CSD85312Q3E Spezifikationen

Herstellerteilenummer CSD85312Q3E
Zukünftige Teilenummer FT-CSD85312Q3E
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie NexFET™
CSD85312Q3E Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 10V
Leistung max 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-PowerVDFN
Supplier Device Package 8-VSON (3.3x3.3)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD85312Q3E Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer CSD85312Q3E-FT

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