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Herstellerteilenummer | CSD85312Q3E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CSD85312Q3E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | NexFET™ |
CSD85312Q3E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 5V Drive |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 39A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 10V |
Leistung max | 2.5W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Supplier Device Package | 8-VSON (3.3x3.3) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD85312Q3E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CSD85312Q3E-FT |
SI7925DN-T1-GE3
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SIS902DN-T1-GE3
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XA3S250E-4TQG144Q
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XC3S400-4FT256I
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-2PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
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EP1C6Q240C8
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EP20K100EQC240-1X
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