Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-2808-TR1G
Herstellerteilenummer | HSMS-2808-TR1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-2808-TR1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-2808-TR1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 1 Bridge |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 70V |
Strom - max | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2808-TR1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-2808-TR1G-FT |
BAR9002ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
BA 892-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR 65-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
XC2S200-6FG456C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484C8
Intel
5SGXMA7K3F40C4N
Intel
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation