Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-2808-TR1G
Herstellerteilenummer | HSMS-2808-TR1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-2808-TR1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-2808-TR1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 1 Bridge |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 70V |
Strom - max | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2808-TR1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-2808-TR1G-FT |
BAR9002ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
BA 892-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR 65-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-3FGG900I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208A
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
XC6SLX45-N3CSG324I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
10AX115R4F40E3LG
Intel