Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-2825-TR1G
Herstellerteilenummer | HSMS-2825-TR1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-2825-TR1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-2825-TR1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 2 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 15V |
Strom - max | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2825-TR1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-2825-TR1G-FT |
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAT 62-09S E6327
Infineon Technologies
BAT 68-08S E6327
Infineon Technologies
BAR8802VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA89202VH6127XTSA1
Infineon Technologies
BAR5002VH6327XTSA1
Infineon Technologies
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel