Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPI26CN10N G
Herstellerteilenummer | IPI26CN10N G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPI26CN10N G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPI26CN10N G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 71W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI26CN10N G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPI26CN10N G-FT |
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies
BSB056N10NN3GXUMA1
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BSB013NE2LXIXUMA1
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BSB014N04LX3GXUMA1
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BSB028N06NN3GXUMA1
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BSB008NE2LXXUMA1
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BSB012N03LX3 G
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BSB012NE2LX
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BSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel