Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPU04N03LB G
Herstellerteilenummer | IPU04N03LB G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPU04N03LB G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPU04N03LB G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 115W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | P-TO251-3-1 |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU04N03LB G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPU04N03LB G-FT |
BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ12DN20NS3GATMA1
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BSZ160N10NS3GATMA1
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EP4SGX360HF35I4
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