Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MPSH10RLRA
Herstellerteilenummer | MPSH10RLRA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MPSH10RLRA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MPSH10RLRA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Frequenz - Übergang | 650MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 350mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPSH10RLRA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MPSH10RLRA-FT |
MRF5812
Microsemi Corporation
MRF5812G
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MRF5812GR1
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MRF5812GR2
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MRF5812R1
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MRF8372
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MRF8372G
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MRF8372GR1
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MRF8372GR2
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MRF8372R1
Microsemi Corporation
A54SX08A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG68
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A1415A-VQG100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXMB9R3H43C2LN
Intel
5SGXMA9K2H40C3N
Intel
A42MX09-1PQG160I
Microsemi Corporation
10AX115N4F45E3SG
Intel
EP1S40F1020C7N
Intel