Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MPSH10RLRA
Herstellerteilenummer | MPSH10RLRA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MPSH10RLRA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MPSH10RLRA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Frequenz - Übergang | 650MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 350mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPSH10RLRA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MPSH10RLRA-FT |
MRF5812
Microsemi Corporation
MRF5812G
Microsemi Corporation
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQ100M
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C4
Intel
EP4SGX110HF35C3
Intel